회사/산업 · 모든 회사 / 모든 직무
Q. HBM DRAM 문의
HBM은 DRAM을 적층한다고 들었습니다. TSV로 관통하여 연결하고, 아마 다른 DDR5에서 사용하는 다른 PERI를 붙이겠지요. 맞나요? 또한, DDR5에서 사용하는 DRAM이나 HBM에서 적층된 DRAM 각각은 전부 같은 공정을 거쳐서 생산되나요? 아니면 셀 배치 설계부터가 다른 DRAM을 만드나요? 이렇게 생각하면 되나요? "셀 영역을 DRAM이라고 부르고, 그 DRAM을 적층한 뒤, PERI(컨트롤 해주는 녀석)을 붙이면 HBM. 즉, DDR5의 DRAM과 HBM의 DRAM은 동일. 다만, PERI나 TSV여부, 적층 여부 등의 차이."??
2026.01.24
답변 1
전문상담HL 디앤아이한라코이사 ∙ 채택률 63%안녕하세요, 성실히 답변 드립니다. 채택 바랍니다 ^^ 맞습니다. 간단히 정리시 HBM DRAM vs DDR5 DRAM : 셀 자체 (메모리 셀, 셀 DRAM 다이)는 기본 공정과 구조가 동일 차이점 : HBM은 다이를 적층하고 TSV로 연결, PERI(컨트롤러 / IO)를 붙임 > DDR5는 단일 다이에 컨트롤러가 붙음 즉 DRAM 셀 설계 자체는 가고, 패키징 / 적층 / 인터페이스 구조가 달라집니다. 정리 셀 = DRAM은 동일 , HBM은 적층 + TAV + PERI , DDR5는 단일 + PERI
함께 읽은 질문
Q. 자소서에 고객사 언급
A에 지원하려는데 B사에서 했던 인턴경험을 적고자 합니다 당시 A가 B의 고객사였는데 이런 점을 어필해도 좋을까요? 혹시 기업내부정보라서 언급하면 안되나 싶어서 질문합니다
Q. 전기전자 진로의 방향성 (반도체 vs 전력변환)
안녕하세요 올해 29살인 취준생 남자입니다.. 현재 1. KTL반도체 첨단소자 (약 3개월) 교육과 2. 3D CAD 교육학원 (2개월) 중에서 어떤것을 하는게 더 나을지 고민중입니다. 저는 인서울 중위권 대학 전자전기공학부를 작년 8월에 졸업하였고 현재 취준 상태입니다. 제 학점은 3초반대이구 가지고 있는 자격증은 토스IH 와 전기기사 필기 정도네요,, 그리고 학교를 다닐때 전력변환 관련 프로젝트3개정도 했습니다. 나이도 좀 있고 작년 하반기에 지원을 30곳 조금 넘게 해봤다가 서류에서 전부 탈락해서 마음이 많이 조급해진 상태가 있습니다. 전공과목은 전자,전기 섞어서 들었던것 같고 학점이 낮으면 그나마 프로젝트 같은 실습내용으로 어필을 해야 될거같은데 플라이백, pwm분산전원, 공진형컨버터 프로젝트, 캡스톤으로는 자율주행rc카 이렇게 수행하였습니다. 요즘 반도체 쪽이 공고도 많이 나오고 상장하는거 같아서 취업도 잘 될까 싶어서 고민되네요 ㅠ
Q. 안녕하세요 질문이 있습니다
현재 중경외시 라인 4학년 재학 중이고 막학기만 남겨두고 있습니다. 25살이고 자격증은 컴활 1급, 투운사, 재경관리사, 신분사, 한국사자격능력 고급 있습니다. 영어는 토스 ih입니다. 증권사 사무보조와 금융공기업 알바한 경험있습니다. 금공과 사기업 재무팀을 희망하고 있는데 한 학기를 휴학하고 신보 인턴을 하는 게 나을지 고민이 됩니다. 남은 학점이 꽤 많아서 이것도 부담되고요. 어떻게 하는 게 좋을지 답변 부탁드립니다..
궁금증이 남았나요?
빠르게 질문하세요.